DMN55D0UT-7/SOT-523-3/MOSFET
Beschreibung
Dieser MOSFET ist entworfen, um den Durchlasswiderstand (RDS (AN)) herabzusetzen und doch die überlegene zugeschaltete Leistung, ihn ideal machend beibehalten für Energiemanagementanwendungen der hohen Leistungsfähigkeit.
| Produkteigenschaft | Attribut-Wert |
|---|---|
| Dioden enthalten | |
| Produkt-Kategorie: | MOSFET |
| Si | |
| SMD/SMT | |
| SOT-523-3 | |
| N-Kanal | |
| 1 Kanal | |
| 50 V | |
| 160 MA | |
| 4 Ohm | |
| - 12 V, + 12 V | |
| 700 Millivolt | |
| PC 295 | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| 200 mW | |
| Verbesserung | |
| DMN55 | |
| Spule | |
| Schneiden Sie Band | |
| MouseReel | |
| Marke: | Dioden enthalten |
| Konfiguration: | Einzeln |
| Vorwärtstransconductance - Minute: | Frau 180 |
| Höhe: | 0,75 Millimeter |
| Länge: | 1,6 Millimeter |
| Produkt: | MOSFET differenziell |
| Produkt-Art: | MOSFET |
| Fabrik-Satz-Quantität: | 3000 |
| Unterkategorie: | MOSFETs |
| Transistor-Art: | 1 N-Kanal |
| Breite: | 0,8 Millimeter |
| Stückgewicht: | 0,000071 Unze |
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