BSZ097N10NS5ATMA1/TSDSON-8/MOSFET
Ideal für Hochfrequenzschaltung
Optimierte Technologie für DC-/DCkonverter
Ausgezeichnetes Produkt Torgebührx RPS (an) (FOM)
N-Kanal, normallevel
Lawine 100% prüfte
Pb-freier Überzug; RoHS konform
Qualifiziert entsprechend JEDEC1) für Zielanwendungen
Halogen-frei entsprechend lEC61249-2-21
| Produkteigenschaft | Attribut-Wert |
|---|---|
| Infineon | |
| Produkt-Kategorie: | MOSFET |
| Si | |
| SMD/SMT | |
| TSDSON-8 | |
| N-Kanal | |
| 1 Kanal | |
| 100 V | |
| 40 A | |
| 8,3 mOhms | |
| - 20 V, + 20 V | |
| 2,2 V | |
| 28 nC | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| 69 W | |
| Verbesserung | |
| OptiMOS | |
| OptiMOS 5 | |
| Spule | |
| Schneiden Sie Band | |
| MouseReel | |
| Marke: | Infineon Technologies |
| Konfiguration: | Einzeln |
| Abfallzeit: | 5 ns |
| Vorwärtstransconductance - Minute: | 23 S |
| Höhe: | 1,1 Millimeter |
| Länge: | 3,3 Millimeter |
| Produkt-Art: | MOSFET |
| Anstiegszeit: | 5 ns |
| Fabrik-Satz-Quantität: | 5000 |
| Unterkategorie: | MOSFETs |
| Transistor-Art: | 1 N-Kanal |
| Typische Abschaltverzögerungs-Zeit: | 21 ns |
| Typische Einschaltverzögerungs-Zeit: | 11 ns |
| Breite: | 3,3 Millimeter |
| Teil # angenommener Name: | BSZ097N10NS5 SP001132550 |
| Stückgewicht: | 0,001367 Unze |
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