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SI1900DL-T1-E3/SOT-363-6/getrennte Halbleiter

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SI1900DL-T1-E3/SOT-363-6/getrennte Halbleiter
Eigenschaften Galerie Produkt-Beschreibung Fordern Sie ein Zitat
Eigenschaften
Technische Daten
Verpackung Informationen: Standard/neues/Vorlage
Produkt-Kategorie: MOSFET
Befestigung von Art: SMD/SMT
Zahl von Kanälen: Kanal 2
Vgs - Tor-Quellspannung: - 20 V, + 20 V
Vgs-Th - Tor-Quellschwellen-Spannung: 1 V
Grundinformation
Herkunftsort: China
Markenname: Vishay Semiconductors
Modellnummer: SI1900DL-T1-E3
Zahlung und Versand AGB
Verpackung Informationen: SOT-363-6
Lieferzeit: Auf Lager
Zahlungsbedingungen: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: Treten Sie mit uns in Verbindung
Produkt-Beschreibung

SI1900DL-T1-E3/SOT-363-6/getrennte Halbleiter

 

Beschreibung

 

• Halogen-frei entsprechend Definition Iecs 61249-2-21

 

• TrenchFET®-Energie MOSFET

 

• Konform zu RoHS richtungweisendes 2002/95/EC

 

Produkteigenschaft Attribut-Wert
Vishay
Produkt-Kategorie: MOSFET
RoHS: Details
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
N-Kanal
Kanal 2
30 V
630 MA
480 mOhms
- 20 V, + 20 V
1 V
1,4 nC
- 55 C
+ 150 C
300 mW
Verbesserung
TrenchFET
SI1
Spule
Schneiden Sie Band
MouseReel
Marke: Vishay-Halbleiter
Konfiguration: Doppel
Höhe: 1 Millimeter
Länge: 2,1 Millimeter
Produkt-Art: MOSFET
Fabrik-Satz-Quantität: 3000
Unterkategorie: MOSFETs
Breite: 1,25 Millimeter
Teil # angenommener Name: SI1900DL-E3
Stückgewicht: 0,000265 Unze

 

SI1900DL-T1-E3/SOT-363-6/getrennte Halbleiter 0

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