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STB45N60DM2AG/TO-263/getrennte Halbleiter

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STB45N60DM2AG/TO-263/getrennte Halbleiter
Eigenschaften Galerie Produkt-Beschreibung Fordern Sie ein Zitat
Eigenschaften
Technische Daten
Verpackung Informationen: Standard/neues/Vorlage
Produkt-Kategorie: MOSFET
Paket/Fall: D2PAK-3
Transistor-Polarität: N-Kanal
Zahl von Kanälen: 1 Kanal
Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung: 600 V
Grundinformation
Herkunftsort: China
Markenname: STMicroelectronics
Modellnummer: STB45N60DM2AG
Zahlung und Versand AGB
Lieferzeit: Auf Lager
Zahlungsbedingungen: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: Treten Sie mit uns in Verbindung
Produkt-Beschreibung

REF02BU/SOIC-8/Energie-Management IC

 

Beschreibung

 

Dieser Hochspannungsn-kanal Energie MOSFET ist ein Teil der Wiederaufnahmedioden-Reihe MDmesh™ DM2 schnellen. Er bietet sehr niedrigen Wiederaufnahmevorwurf (Qrr) und die Zeit (trr) kombiniert mit niedrigem RDS (an) an und macht ihn passend für die forderndsten Konverter und das Ideal der hohen Leistungsfähigkeit für Brückentopologie- und ZVS-Phasenverschiebungskonverter.

 

Produkteigenschaft Attribut-Wert
STMicroelectronics
Produkt-Kategorie: MOSFET
Si
SMD/SMT
D2PAK-3
N-Kanal
1 Kanal
600 V
34 A
93 mOhms
- 20 V, + 20 V
3 V
56 nC
- 55 C
+ 150 C
250 W
Verbesserung
AEC-Q101
MDmesh
STB45N60DM2AG
Spule
Schneiden Sie Band
MouseReel
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Einzeln
Abfallzeit: 6 ns
Höhe: 4,6 Millimeter
Länge: 10,4 Millimeter
Produkt: Energie MOSFETs
Produkt-Art: MOSFET
Anstiegszeit: 27 ns
Fabrik-Satz-Quantität: 1000
Unterkategorie: MOSFETs
Transistor-Art: 1 N-Kanal-Energie MOSFET
Art: Hochspannung
Typische Abschaltverzögerungs-Zeit: 85 ns
Typische Einschaltverzögerungs-Zeit: 29 ns
Breite: 9,35 Millimeter
Stückgewicht: 0,139332 Unze

STB45N60DM2AG/TO-263/getrennte Halbleiter 0

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