REF02BU/SOIC-8/Energie-Management IC
Beschreibung
Dieser Hochspannungsn-kanal Energie MOSFET ist ein Teil der Wiederaufnahmedioden-Reihe MDmesh™ DM2 schnellen. Er bietet sehr niedrigen Wiederaufnahmevorwurf (Qrr) und die Zeit (trr) kombiniert mit niedrigem RDS (an) an und macht ihn passend für die forderndsten Konverter und das Ideal der hohen Leistungsfähigkeit für Brückentopologie- und ZVS-Phasenverschiebungskonverter.
Produkteigenschaft | Attribut-Wert |
---|---|
STMicroelectronics | |
Produkt-Kategorie: | MOSFET |
Si | |
SMD/SMT | |
D2PAK-3 | |
N-Kanal | |
1 Kanal | |
600 V | |
34 A | |
93 mOhms | |
- 20 V, + 20 V | |
3 V | |
56 nC | |
- 55 C | |
+ 150 C | |
250 W | |
Verbesserung | |
AEC-Q101 | |
MDmesh | |
STB45N60DM2AG | |
Spule | |
Schneiden Sie Band | |
MouseReel | |
Marke: | STMicroelectronics |
Konfiguration: | Einzeln |
Abfallzeit: | 6 ns |
Höhe: | 4,6 Millimeter |
Länge: | 10,4 Millimeter |
Produkt: | Energie MOSFETs |
Produkt-Art: | MOSFET |
Anstiegszeit: | 27 ns |
Fabrik-Satz-Quantität: | 1000 |
Unterkategorie: | MOSFETs |
Transistor-Art: | 1 N-Kanal-Energie MOSFET |
Art: | Hochspannung |
Typische Abschaltverzögerungs-Zeit: | 85 ns |
Typische Einschaltverzögerungs-Zeit: | 29 ns |
Breite: | 9,35 Millimeter |
Stückgewicht: | 0,139332 Unze |
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