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ISO5452QDWRQ1 lokalisierte die Tor-Fahrer, die kundenspezifische integrierte Schaltung umwandeln

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ISO5452QDWRQ1 lokalisierte die Tor-Fahrer, die kundenspezifische integrierte Schaltung umwandeln
Eigenschaften Galerie Produkt-Beschreibung Fordern Sie ein Zitat
Eigenschaften
Technische Daten
Betriebsstoff-Strom: 2,8 MA
Ausgangsstrom: 5 A
Ausgangsspannung: 15 V bis 30 V
Verlustleistung: 1,255 W
Datums-Code: 22+
Verpackung Informationen: Standard/neues/Vorlage
Markieren:

ISO5452QDWRQ1 lokalisierte Tor-Fahrer

,

Kundenspezifische integrierte Schaltung ISO5452QDWRQ1

Grundinformation
Herkunftsort: Philippinen
Markenname: TI
Modellnummer: ISO5452QDWRQ1
Zahlung und Versand AGB
Verpackung Informationen: SOIC-16
Lieferzeit: Auf Lager
Zahlungsbedingungen: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: Treten Sie mit uns in Verbindung
Produkt-Beschreibung

ISO5452QDWRQ1/lokalisierter Tor-Fahrer 2.5-A/5-A IsoIGBT MOSFET-Tor-Fahrer

 

Produkteigenschaft Attribut-Wert
Texas Instruments
Produkt-Kategorie: Lokalisierte Tor-Fahrer
RoHS: Details
Marke: Texas Instruments
Konfiguration: Umwandlung, Nicht-wandelnd um
Abfallzeit: 20 ns
Eigenschaften: DESAT-Schutz, aufgeteilter Ertrag, Miller Clamp, Energie gut, Störungs-Ertrag, Zurückstellen, Weiche-Drehung weg
Normalbetriebshöchsttemperatur: + 125 C
Minimale Betriebstemperatur: - 40 C
Feuchtigkeit empfindlich: Ja
Befestigung von Art: SMD/SMT
Zahl von Fahrern: 1 Fahrer
Zahl von Ertrag: 1 Ertrag
Betriebsstoff-Strom: 2,8 MA
Ausgangsstrom: 5 A
Ausgangsspannung: 15 V bis 30 V
Paket/Fall: SOIC-16
Verpacken: Spule
Verpacken: Schneiden Sie Band
Verpacken: MouseReel
PD - Verlustleistung: 1,255 W
Produkt: Lokalisierte Tor-Fahrer
Produkt-Art: Lokalisierte Tor-Fahrer
Laufzeitverzögerung - maximal: 110 ns
Qualifikation: AEC-Q100
Anstiegszeit: 18 ns
Reihe: ISO5452-Q1
Abschaltung: Abschaltung

Fabrik-Satz-Quantität:

2000
Unterkategorie: PMIC - Energie-Management IC
Versorgungs-Spannung - maximal: 5,5 V
Versorgungs-Spannung - Minute: 2,25 V
Technologie: Si
Stückgewicht: 0,026769 Unze

 

ANWENDUNGEN

• Lokalisierte IGBT- und MOSFET-Antriebe herein:

– HEV- und EV-Energie-Module

– Industrielle Motorsteuerungs-Antriebe

– Wirtschaftsmacht-Spg.Versorgungsteile

– Solarinverter

– Induktions-Heizung

 

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[WHO SIND WIR]
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